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欧洲先进FD-SOI中试线启动设计征集,目标2027年实现10nm
IT之家 3 月 19 日消息,据法媒 ECInews 报道,欧洲先进 FD-SOI 中试线(技术试点线)项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表
2025-03-19 15:18:00 -
微软发布医疗AI助手,终结手写病历时代;英伟达和博通据称“试水”英特尔18A制程 | 全球科技早参
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2025-03-04 07:58:00
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