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  欧洲先进FD-SOI中试线启动设计征集，目标2027年实现10nm

  IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表

  2025-03-19 15:18:00